娱乐场娱乐 小摩:今年DRAM价格将大跌40%

2020-01-11 13:04:55

娱乐场娱乐 小摩:今年DRAM价格将大跌40%

娱乐场娱乐,美中贸易战抑制了半导体需求。摩根大通的最新预测指出,今年dram市场规模将下降30%,平均产品价格(asp)将大幅下降40%。然而,资本支出预计将保持一定的势头。台湾工厂,如南亚分公司等。建议先观望。

摩根大通(JPMorgan Chase)最近基于市场需求的小幅回升,将dram指数的南亚分支评级上调至“中性”。然而,它对市场前景的谨慎看法没有改变。尤其保守的观点是,对基于服务器的大型建筑的需求尚未完全反弹。dram在2020年触底的势头可能相当有限。

摩根大通(JPMorgan Chase)指出,由于美中贸易战以及消费者谨慎购买的影响,dram价格在今年年中反弹并再次下跌,使得DRAM价格难以从全年的下跌中恢复。就年度比较而言,它预测dram需求将比去年增长12%,市场规模将因供过于求而下降30%,产品平均价格将比去年下降40%。

Nand需求相对较好。摩根大通(JPMorgan Chase)预测,今年对这类内存的需求将强劲增长30%,但即使需求超过供应,仍估计产品的平均价格将下降20%至40%。资本支出受制于制造商的新需求。dram和nand预计都将比去年略有下降,分别达到190亿美元和250亿美元。

摩根大通认为,明年第一季度内存价格仍有下降的可能。过多的库存不太可能扭转经济的“V”形,甚至不太可能在明年年底前继续缓慢的“L”形复苏。因此,有人建议等着看台湾的工厂。

根据ic insights报告,在2019年的半导体行业中,存储产业链的资本支出约占整个半导体行业的43%。然而,由于近年来内存容量激增等因素,内存市场在过去一年因供过于求而出现价格下跌。工厂减少生产扩张,导致今年内存资本支出下降,半导体行业资本支出总额降至978亿美元,比去年减少80亿美元。

纵观历史数据,从下图可以看出,内存行业的资本支出在过去两年中大幅增加。从2013年到2018年,内存行业的资本支出比例从24%跃升至49%,而2019年略有下降,降至43%,整体7年复合增长率(cagr)达到18.9%。

半导体产业中半导体资本支出的比例及其逐年变化(图:集成电路洞察)

在ic产品中,高速缓冲存储器(nand)的资本支出是主要产品,整个半导体行业的资本支出在2017年和2018年达到峰值,如三星、sk Hynix和美光,它们在过去两年里已经产生了很大的产出能力。

在过去的18个月中,英特尔(intc-us)、东芝、威腾、sandisk、xmc和长江存储也显著加快了3d nand产品的扩张。随着容量的不断扩大,dram和缓存都供过于求,导致价格持续下跌。

关于资本支出的变化,过去两年世界主要记忆工厂的扩建计划已经完成或接近完成。加上产能扩张导致市场价格持续下跌,各工厂的资本支出在两大因素下逐渐减少。迄今为止,dram和闪存资本支出分别下降了19%和21%。

Dram和闪存资本支出逐年变化(图:ic洞察)

展望记忆的未来,ic insights指出,衰退的持续将取决于各工厂资本支出的调整。最大的工厂之一sk Hynix上个月宣布将减少产量。如果这些工厂将来继续减少产量,那么将来记忆力下降的趋势将会得到缓解。

Ic insights表示,从短期供求角度来看,过度供应造成的低价给消费者带来了价格优势,需求的增加或多或少可以弥补制造商的损失。

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